“这款压力指纹传感器通过在硅上生长集成压电ZnO纳米线制得，为超高分辨率指纹传感器开辟了道路，，其分辨率将能够达到1000 DPI以上（目前智能手机指纹识别分辨率可以达到500 DPI左右），”Leti项目经理Antoine Viana称，“该技术有潜力在安防和身份识别应用领域带来显著提升。”该项目的8个成员来自欧洲的企业、大学和研究所，它们制作了一款嵌入硅芯片的演示产品，具有250像素，以及用于信号收集和后期处理的电路。这款芯片用于概念和重要技术成果的验证和展示，并未达到纳米线集成密度的潜在最大值。后期将为进一步优化传感器分辨率，研究全电子集成。

据麦姆斯咨询报道，法国研究机构Leti近日宣布，欧洲研发项目PiezoMAT（PIEZOelectric nanowire MATrices，压电纳米线矩阵）开发出了一款压力指纹传感器，能够实现美国FBI目前要求的两倍以上的分辨率。其概念验证产品展示了一款在硅上生长的压电氧化锌（ZnO）纳米线互联矩阵，能够以每英寸1000点（DPI）的分辨率重建人类最小的指纹特征。

该项目还在多个关键领域积累了有价值的经验和技术，例如种子层加工的优化，硅基板上指向性ZnO纳米线的局部生长，复杂电荷产生的数学建模，以及用于封装的新兴聚合物的合成等。PiezoMAT项目历时44个月，耗资290万欧元，由欧盟委员会第七次框架计划支持。其合作伙伴包括：Leti （法国）、Fraunhofer IAF（德国）、Centre for Energy Research, Hungarian Academy of Sciences（匈牙利）、Universität Leipzig（德国）、Kaunas University of Technology （立陶宛）、SPECIFIC POLYMERS（法国）、Tyndall National Institute（爱尔兰）和OT-Morpho（法国）。延伸阅读：